特許

J-GLOBAL ID：200903008278435098

半導体装置用配線基板

発明者： 相楽 秀次
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 米澤 明 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246566
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097318
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子との接続用の微細なピッチを有する半導体装置用配線基板を得る。【構成】 絶縁性基板の両面に導電性金属を積層した両面金属積層基板から構成される半導体装置用配線基板において、絶縁性基体の一方の面に半導体素子との接続を行う微細なピッチの内部配線が形成され、他方の面には外部回路との接続用の外部配線および外部配線と一体の外部端子が形成されており、表裏の内部配線と外部配線は電気的接続孔を介して導電接続されており、内部配線および外部配線はそれぞれ微細ピッチ加工、外部回路との接続用に優れた金属材料で形成した半導体装置用配線基板。【効果】 半導体素子および外部回路のそれぞれの接続用に好適である。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の両面に導電性金属を積層した両面金属積層基板から構成される半導体装置用配線基板において、半導体素子の搭載部、半導体素子との接続用の内部配線を絶縁性基板の一方の面に有し、他方の面には外部回路との接続用の外部配線および外部配線と一体の外部回路との接続用の外部端子を有し、内部配線と外部配線とは絶縁性基板に設けた電気的接続孔を介して導電接続を形成したことを特徴とする半導体装置用配線基板。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/50 ,  H05K 3/46 ,  C23F 1/02

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-364769