特許

J-GLOBAL ID：200903008281296392

半導体装置及びその製造方法

発明者： 野崎 秀樹 ,  馬場 嘉朗 ,  小林 源臣
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038469
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230415
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 コストが低減でき、かつ消費電力が抑制できるRawウエハを用いたPT構造を実現する。【解決手段】 N-層11の裏面に形成されたn+バッファ層は、イオンの活性化が不完全な領域である不活性領域21と、イオンの活性化が高められた領域である活性領域19とからなる。この活性領域19のキャリア濃度は、不活性領域21のキャリア濃度より高い。また、不活性領域21において、注入されたイオンの電気的な活性化率Xは1%≦X≦30%である。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面に形成された第2導電型の第1の拡散領域と、前記半導体基板の表面の前記第1の拡散領域上に選択的に形成された第1導電型の第2の拡散領域及び第2導電型の第3の拡散領域と、前記半導体基板及び前記第1、第2の拡散領域内に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記第2、第3の拡散領域上に選択的に形成されたソース電極と、前記半導体基板の裏面に形成され、イオンの活性化が不完全な領域である第1導電型の不活性領域と、前記不活性領域の裏面に形成され、イオンの活性化が高められた領域である第1導電型の活性領域と、前記活性領域の裏面に形成されたドレイン電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 652

FI (2件)：

H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 652 G