特許

J-GLOBAL ID：200903008282916017

多孔質シリカフィルムの製造方法、該方法により得られた多孔質シリカフィルム、並びにそれからなる半導体装置

発明者： 高 村 一 夫 ,  大 池 俊 輔 ,  村 上 雅 美 ,  窪 田 武 司
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (2件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380845
公開番号（公開出願番号）：特開2004-210579
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【解決手段】本発明に係る多孔質シリカフィルムの製造方法は、界面活性剤と環状シロキサンとの存在下に、アルコキシシラン類を加水分解縮合して塗布液を調製し、該塗布液を基板表面に塗布し、次いで、基板表面に形成された塗布膜を加熱することを特徴とする。【効果】本発明の多孔質シリカフィルムの製造方法によれば、空隙率が増加するため誘電率が小さく、さらに疎水性に優れる多孔質シリカフィルムを得ることができる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

界面活性剤と環状シロキサン類との存在下に、アルコキシシラン類を加水分解縮合して塗布液を調製し、 該塗布液を基板表面に塗布し、次いで、基板表面に形成された塗布膜を加熱することを特徴とする多孔質シリカフィルムの製造方法。

IPC (3件)：

C01B33/12 ,  C08J9/28 ,  H01L21/316

FI (3件)：

C01B33/12 C ,  C08J9/28 ,  H01L21/316 G

Fターム (34件)：

4F074AA90 ,  4F074AA94 ,  4F074BC01 ,  4F074BC02 ,  4F074BC03 ,  4F074BC04 ,  4F074CB31 ,  4F074CC04 ,  4F074CC28 ,  4F074CC29 ,  4F074CC42 ,  4F074CE12 ,  4F074CE13 ,  4F074CE15 ,  4F074CE37 ,  4F074CE66 ,  4F074CE83 ,  4F074CE93 ,  4F074DA47 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072KK15 ,  4G072KK17 ,  4G072MM36 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01