特許

J-GLOBAL ID：200903008284433137

平面型電界放出デバイス

発明者： 濡木ちづる ,  蘭 宗樹
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-002435
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190078
出願日： 1992年01月09日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 制御性の向上と製作の容易化をはかった平面型電界放出デバイスを提供する。【構成】 基板の同一平面上に所定の間隔を隔ててエミッタとコレクタが形成され,前記エミッタとコレクタの間にゲートを形成した平面型電界放出デバイスにおいて,前記基板としてSOI基板を用い,エミッタ4およびコレクタ3をシリコン単結晶で形成するとともに前記エミッタの先端を厚み方向に先鋭化する。

請求項（抜粋）：

基板の同一平面上に所定の間隔を隔ててエミッタとコレクタが形成され,前記エミッタとコレクタの間にゲートを形成した平面型電界放出デバイスにおいて,前記基板としてSOI基板を用い,前記エミッタおよびコレクタをシリコン単結晶で形成するとともに前記エミッタの先端を厚み方向に先鋭化したことを特徴とする平面型電界放出デバイス。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-225725
  
• 特開平3-225725
  
• 特開昭52-132771