特許

J-GLOBAL ID：200903008285293770

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 森本 廉 ,  平井 義彦 ,  幸 康一郎 ,  丹羽 正昭 ,  安井 十郎 ,  宇田川 昌治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-174076
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030151
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 量子サイズ効果を用いて、発光効率の優れた高性能な半導体発光素子を提供する。【構成】 シリコン量子細線10、もしくは量子ドット12上に化学気相堆積法等を用いてシリコンカーバイド11を選択的に成長させ、半導体発光素子を形成する。成長したシリコンカーバイド11のサイズは量子サイズ効果が発現するほどに小さいため、シリコンカーバイド11のバンド構造が間接遷移型から直接遷移型に変化する事が期待でき、発光効率の優れた青色発光素子が実現可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくともその一部が(111)結晶面からなり、量子サイズ効果の発現し得る極微細なシリコン微構造体と、前記シリコン微構造体をその一部に有したシリコン基体と、前記シリコン微構造体上に化学気相成長法等で選択的に成長させたシリコンカーバイドを有する半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/06