横方向ソリッドオーバーグロース法を用いる光導電性又は陰極伝導性デバイスの製作

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：古谷馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-229289
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134411
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】好適でない結晶成長形態を有する成長層上にアモルファス膜を結晶化するための手段を提供する。【解決手段】本発明の方法は、好適な成長基板を提供して、この好適な成長基板のシーディング表面上に第1の好適でない成長層を形成するステップを含む。第1の好適でない成長層内に開口をエッチングして、この開口が、第1の好適でない成長層を通ってシーディング表面まで下方に延び、これによって、シーディング表面の一部を露出させるようにする。次に、アモルファス媒体層を第1の好適でない成長層上に形成する。アモルファス媒体層は、開口を充填し、かつ、好適な成長基板のシーディング表面と接触する。アモルファス媒体層の結晶相の核生成がアモルファス媒体層全体に伝搬するように、アモルファス媒体層を焼きなまし処理することによって結晶化媒体層を形成する。

請求項（抜粋）：

好適でない結晶成長形態を有する下部層の上に形成されたアモルファス膜を結晶化するための方法において、シーディング表面を上部に有する好適な成長基板を設けるステップと、前記シーディング表面上に第1の好適でない成長層を形成するステップと、前記第1の好適でない成長層を通って前記シーディング表面まで下方に延びる開口をパターン形成し、その後、エッチングするステップと、前記第1の好適でない成長層の上にアモルファス媒体層を形成して、前記アモルファス媒体層の一部が前記開口を充填し、かつ、前記シーディング表面と接触するようにするステップと、前記アモルファス媒体層を焼きなまし処理することにより、前記アモルファス媒体層の結晶相の核生成が前記シーディング表面で始まり、前記アモルファス媒体層の残りの部分全体にわたって伝搬するように、結晶化媒体層を形成するステップと、前記結晶化媒体層を前記好適な成長基板から電気的に絶縁するために前記結晶化媒体層を処理するステップとからなる、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , G11B 7/26

FI (2件)：

H01L 21/20 , G11B 7/26

Fターム (18件)：

5D121AA03 , 5D121GG08 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052BA02 , 5F052BB01 , 5F052BB07 , 5F052DA10 , 5F052DB01 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB04 , 5F052DB07 , 5F052DB09 , 5F052GA01 , 5F052GC03 , 5F052GC04 , 5F052GC10

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭56-006444
特開昭57-023218
特開昭57-045920

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