特許
J-GLOBAL ID：200903008287555861
炭化ケイ素単結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-267687
公開番号（公開出願番号）：特開平5-105596
出願日： 1991年10月16日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：
【要約】【目的】 ルツボの上側に種結晶を設置し、ルツボ内に準備した粉末又は顆粒等のSiCを昇華させることにより、SiC種結晶を成長させて、SiC単結晶のインゴットを得るSiC単結晶成長方法において、SiCを安定に昇華させることを目的とする。【構成】 グラファイトからなるルツボ1内にSiC単結晶用原材料2を準備する。この原材料2はSiCとカーボンからなり、例えば原材料2の表面部にカーボンを含有する層2aとこの層2a下に粉末又は顆粒等のSiC2bとで構成されている。ルツボ1の開口部5にSiCの種結晶4を固定設置したホルダー3を載置して、アルゴンガス雰囲気とする。その後、ルツボ1周囲に設けられた高周波誘導加熱コイルにより、ルツボ1を加熱することにより、SiC2bを昇華させて、SiC種結晶4を成長させてSiC単結晶のインゴットを作成する。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素からなる原材料を加熱昇華させ、該原材料の上側上方に配設した種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法において、炭化ケイ素からなる原材料にカーボンを含有せしめることを特徴とする炭化ケイ素単結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/00
, H01L 21/203
