スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054259
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214523
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【構成】金属珪化物が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、この金属珪化物相の間隙に珪素相が不連続に存在する高密度かつ微細な混合組織を有し、アルミニウムの含有量が1ppm以下となるスパッタリングターゲットである。【効果】高密度かつ高強度であるため、スパッタリング時におけるパーティクルの発生量が少なく、さらにアルミニウムの含有量を低減し成膜内への混入を防止できるため、高品質で高精度な半導体製品を製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

金属珪化物(化学論組成がMSi2 、但しMは金属)が連鎖状に結合して金属珪化物相が形成され、珪素粒子が結合して形成された珪素相が上記金属珪化物の間隙に不連続に存在する微細な混合組織を有し、アルミニウム含有量が1ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 , B22F 3/14 , C22C 1/05 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (28件)

特開昭62-177756
特開平2-166276
特開昭60-066425

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