特許

J-GLOBAL ID：200903008293322100

多重量子井戸構造半導体発光素子

発明者： 堂免 恵
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007156
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208875
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 多重量子井戸構造半導体発光素子に関し、多重量子井戸活性層の結晶性に影響を与えることなく、ホールの注入効率及び多重量子井戸活性層中におけるホールの分布の均一性を改善する。【解決手段】 ナイトライド系化合物半導体を用いた多重量子井戸構造半導体発光素子の多重量子井戸活性層1を構成する障壁層3のp型不純物濃度を、7×1019cm-3以上とする。

請求項（抜粋）：

多重量子井戸活性層を構成する障壁層のp型不純物濃度を、7×1019cm-3以上とすることを特徴とするナイトライド系化合物半導体を用いた多重量子井戸構造半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C

Fターム (17件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23