特許

J-GLOBAL ID：200903008294661529

窒化物半導体基板およびそれを用いた窒化物半導体素子

発明者： 清久 裕之
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343464
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174395
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体を成長させる基板を改良することによって、長寿命、高効率、歩留の向上した窒化物半導体素子を得る。【構成】 オフ角が0.10°以上、0.20°以下である、C面を主面とするサファイア基板上に、第1の窒化物半導体、その上にストライプ状に形成された窒化物半導体と異なる保護膜、さらにその上に選択成長した第2の窒化物半導体が形成されてなり、さらに前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)は、サファイア基板のA面に対して垂直に形成されてなり、さらに前記ストライプ状の保護膜は、前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)に対して平行に形成する。

請求項（抜粋）：

ステップ状にオフアングルされたサファイア基板上に、第1の窒化物半導体、その上にストライプ状に形成された窒化物半導体と異なる保護膜、さらにその上に第2の窒化物半導体が形成されてなり、さらに前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)は、サファイア基板のA面に対して垂直に形成されてなり、さらに前記ストライプ状の保護膜は、前記オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向(段差方向)に対して平行に形成することを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (4件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 677 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (42件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F052KA05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA76 ,  5F073AA77 ,  5F073CB05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-176098   出願人：日本電気株式会社