特許
J-GLOBAL ID：200903008295569472
半導体不揮発性メモリの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036990
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【構成】 ファーラー・ノルドハイム(FN)トンネル電流をデーターの書き込み・消去に利用した、ポリシリコン2層積層型半導体不揮発性メモリのトンネルドレイン領域16を、ドレイン領域18への不純物イオンインプラ注入により注入された不純物の横方向熱拡散により形成する。【効果】 トンネルドレイン領域にイオンインプラを行わなくなったため、素子分離酸化で発生するレベルまで応力を軽減できるようになった。従って、この応力が低減された部分でトンネル酸化膜を形成した場合、トンネル酸化膜中に殆ど欠陥が発生しないため、欠陥を介してトンネル酸化膜中にリーク電流が流れやすいという問題が発生せず、半導体不揮発性メモリのデータ保持特性の高信頼性を得ることができた。
請求項（抜粋）：
ファーラー・ノルドハイムトンネル電流をデーターの書き込み・消去に利用したポリシリコン2層積層型半導体不揮発性メモリにおいて、トンネルドレイン領域を、半導体基板表面近傍のドレイン領域への不純物イオンインプラ注入により注入された不純物の、横方向熱拡散により形成したことを特徴とする半導体不揮発性メモリの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/265
H01L 29/78 371
, H01L 21/265 A
