特許

J-GLOBAL ID：200903008295729151

半導体装置およびその製造方法

発明者： 鬼頭 英至
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245439
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077192
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率が6程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いCuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置において、Cuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層として、Si/N組成比が0.75以下のP-SiN膜12またはP-SiON膜を用いる。HMDS処理などにより表面にN-H基を生成したP-SiO膜などの非SiN系絶縁膜をCuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層として用いてもよい。

請求項（抜粋）：

Cuの拡散防止層および/またはエッチングストッパー層としてSiN膜を用いる半導体装置において、上記SiN膜のSi/N組成比が0.75以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C

Fターム (44件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF46 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02