特許

J-GLOBAL ID：200903008304429280

線状ナノ材料の製造方法及びこれによる線状ナノ材料、線状ナノ材料を利用した薄膜トランジスタ基板

発明者： ▲オー▼ 俊 鶴
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-200304
公開番号（公開出願番号）：特開2007-039683
出願日： 2006年07月24日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】壁厚さの調節と多層形成が容易な線状ナノ材料の製造方法、これによる線状ナノ材料、その線状ナノ材料を利用した薄膜トランジスタ基板を提供する。【解決手段】本発明による線状ナノ材料の製造方法は、直径200nm以下の孔隙が形成されている鋳型を設ける工程と;気相の有機物質を導入して、前記孔隙内に線状ナノ材料を形成する工程と;を含むことを特徴とする。また、本発明の線状ナノ材料は、直径が200nm以下であり、内部が空いているチューブ形状のシェルと、前記シェルの内部に形成されているコアとを含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

直径200nm以下の孔隙が形成されている鋳型を設ける工程と、 気相の有機物質を導入して、前記孔隙内に線状ナノ材料を形成する工程と、 を含むことを特徴とする線状ナノ材料の製造方法。

IPC (8件)：

C08G 85/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/312 ,  H01L 29/06 ,  B82B 3/00

FI (10件)：

C08G85/00 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626Z ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/363 ,  H01L21/312 A ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/312 M ,  B82B3/00

Fターム (43件)：

4J031BA04 ,  4J031BA09 ,  4J031BA10 ,  4J031BA11 ,  4J031BA15 ,  4J031CA11 ,  4J031CA21 ,  4J031CA24 ,  4J031CA34 ,  4J031CA49 ,  4J031CB01 ,  4J031CB02 ,  4J031CB05 ,  5F058AA10 ,  5F058AB05 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF01 ,  5F058AH01 ,  5F103AA01 ,  5F103DD25 ,  5F103LL13 ,  5F103PP18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110FF01 ,  5F110FF12 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 韓国特許公開2004-104227号公報