特許

J-GLOBAL ID：200903008307843745

半導体装置、その製造方法及びその製造装置

発明者： 堀 充明 ,  大田 裕之 ,  大越 克明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-277321
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223309
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】 しきい値の変動及び移動度の低下を抑えながらリーク電流を低減することができる半導体装置、その製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上にSiO2膜2を形成する。次に、SiO2膜2上にSiN膜3を形成する。このとき、ビスターシャリーブチルアミノシラン及びNH3を原料ガスとして用い、成膜温度を600°C以下とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 を有し、 前記ゲート絶縁膜は、 第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に形成され、炭素を含有する窒化物又は酸窒化物からなる第2の絶縁膜と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/318

FI (2件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/318 M

Fターム (32件)：

5F058BA20 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BD16 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BH01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG27 ,  5F140BG36 ,  5F140CE10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-193300   出願人：株式会社日立製作所
• 電源接続制御装置及び電源接続制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-185650   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 特許第2962417号公報
  
• 特許第3055123号公報
  

審査官引用 (6件)

• 複合誘電体層及び同形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-324905   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-012600   出願人：松下電子工業株式会社
• 酸素含有ケイ素化合物膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-163791   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-332950   出願人：株式会社日立国際電気
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037120   出願人：株式会社日立国際電気
• 酸化物・窒化物ゲート絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-566880   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド