ダミーウエハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215770
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064776
出願日： 1996年08月15日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】この発明は、ダミーウエハの面に格子状の溝加工を施すことによって、成膜後のダミーウエハ上に形成された膜中の残留応力を緩和し、これによってダミーウエハ上の膜の剥離や反りが生じないようにしたダミーウエハを得ようとするものである。【解決手段】この発明は、半導体製造時の熱処理工程に使用されるダミーウエハ1で、ウエハ1の表面に格子状に溝加工2が施され、これによって囲まれた部分の単位面積が1.5cm2 以下で、溝加工がダミーウエハの片面に施されるときは溝の深さが0.01mm以上でダミーウエハの厚さの1/3以下であり、溝加工がダミーウエハの両面に施されるときは溝の深さが0.01mm以上でダミーウエハの厚さの1/6以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体製造時の熱処理工程に使用されるダミーウエハで、ウエハの表面に溝加工が格子状に施されていることを特徴とするダミーウエハ。

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