特許

J-GLOBAL ID：200903008319309027

半導体製造装置と半導体装置の製造方法

発明者： 庄田 尚弘 ,  高橋 眞理 ,  森 重哉 ,  古澤 進二 ,  遠藤 隆之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-057868
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252066
出願日： 1993年02月23日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】減圧CVD装置の反応容器や反応ガス導入ラインの内壁には,反応生成物に起因する粉塵が残存し、工程中被成膜基板上に付着し、不良発生の原因となるので、該粉塵を除去する。【構成】反応容器内に反応ガスを導入するラインであると共にクリーニングガスを活性化し、このクリーニングガスを導入する手段を含むガス供給ライン機構を、従来の反応ガス導入ラインに代えて設け、活性化されたクリーニングガスにより、反応ガス導入ライン及び反応容器内の粉塵を除去した後成膜を行なう。また他の手段は、絶縁された導電体からなる集塵プレートを帯電させ、基板に代えて反応容器内に搬送載置すると共に、反応ガス導入ラインを経由して反応容器内にガスを噴出し、舞い上がった粉塵を、静電力により集塵プレートに吸着し、反応容器外に搬送除去した後、成膜を行なう。

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容し反応により該基板面に薄膜形成を行なう反応容器と、該反応容器内を減圧するための排気手段と、前記反応容器内に反応ガスを導入するラインであると共にクリーニングガスを活性化し、このクリーニングガスを導入する手段を含むガス供給ライン機構とを、具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-138237
  
• 特開昭64-000728