特許

J-GLOBAL ID：200903008326607386

ガスセンサ及びその製造方法

発明者： 安藤 正美 ,  須藤 誠一 ,  鈴木 貴弘 ,  土田 敬之
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
代理人 (1件)： 下田 容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180252
公開番号（公開出願番号）：特開平5-002005
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 高温で測定する場合でも半導体ガスセンサのセンサ出力、ガス感度を高め、逆に低温で測定する場合の回復応答性を高める。【構成】 ガスセンサ1はアルミナ基板2に一対の櫛形Au電極3,3を焼成により形成し、このAu電極3,3が接続するSnO2膜4を同じく焼成によりアルミナ基板2表面に形成し、更にアルミナ基板2内にはヒータ5を埋設している。SnO2膜4は厚みが1μm以下で平均細孔径が100Å以上になっている。

請求項（抜粋）：

SnO2に対するガスの吸脱着による抵抗値の変化を利用したガスセンサにおいて、前記SnO2は絶縁基板上に薄膜として形成され、その厚みは1μm以下で且つ平均細孔径が100Å以上であることを特徴とするガスセンサ。