特許
J-GLOBAL ID:200903008332273228
メモリコントローラ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田中 常雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-289495
公開番号(公開出願番号):特開2008-108023
出願日: 2006年10月25日
公開日(公表日): 2008年05月08日
要約:
【課題】 DDRタイプのメモリ素子を使用して、高いパフォーマンスと低消費電力化を両立する。【解決手段】 メモリモジュール12は、データ読み出し時、データ信号62と、データ信号62のタイミングを示すストローブ信号44を出力する。動作下限周波数を持つ遅延回路40と、動作下限周波数を持たない遅延回路42が、メモリモジュール12からのストローブ信号44を遅延する。遅延回路40,42の遅延期間はストローブ信号44の約1/4周期である。選択回路50は、制御回路70からの指示に従い、ストローブ信号46,48の一方を選択する。フリップフロップ(FF)54は、選択回路50の出力に従い、データ信号62をラッチする。FF60は、選択回路50の出力の反転値に従い、データ信号62をラッチする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
データ読み出し期間に、外部クロックに同期して、データ信号と共に当該データのタイミングを示すストローブ信号を出力するメモリモジュールを制御するメモリコントローラであって、
当該ストローブ信号を遅延する、動作下限周波数を有する第1の遅延回路(40)と、
当該ストローブ信号を遅延する、動作下限周波数を有しない第2の遅延回路(42)と、
当該第1及び第2の遅延回路の出力の一方を選択する選択手段(50)と、
当該選択手段の出力信号に従い、当該メモリモジュールからの当該データ信号を取り込むラッチ回路(54,60)
とを具備することを特徴とするメモリコントローラ。
IPC (2件):
FI (4件):
G06F12/00 564D
, G06F12/00 597D
, G06F12/00 550E
, G06F1/04 330A
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (1件)
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メモリ制御装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-137601
出願人:ソニー株式会社
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