特許

J-GLOBAL ID：200903008339214880

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山▲崎▼ 陽一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098515
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284753
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 高い受光感度と優れた周波数特性との両方を同時に得ることができる受光素子を含む半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 不純物濃度の低いSi基板11とエピタキシャル層14とでフォトダイオード35のPN接合部が構成されているので、PN接合部における空乏層の幅が広く、接合容量による寄生容量が少なく、Si基板11の拡散長が長い。しかも、PN接合部への逆方向電圧の印加によっても空乏化されない深さに高エネルギーイオン注入で形成されている不純物濃度の高い埋込み層33がアノードの取出し領域になっているので、アノードにおける寄生抵抗が低い。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体領域とこの第1の半導体領域上の第2導電型の第2の半導体領域とで構成されているPN接合部を有する受光素子を含む半導体装置において、前記PN接合部への逆方向電圧の印加によっても空乏化されない前記第1の半導体領域中の部分に、この第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3の半導体領域が埋め込まれており、前記第3の半導体領域が前記受光素子の一方の電極に対する取出し領域になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/14 Z