特許
J-GLOBAL ID:200903008341085817

フィールドエミッターを有するデバイス及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-211089
公開番号(公開出願番号):特開平9-045215
出願日: 1995年07月27日
公開日(公表日): 1997年02月14日
要約:
【要約】【課題】効率的にダイヤモンド表面から電子を放出させることが可能な電子デバイスを提供する。【解決手段】支持基板と、支持基板の一方の面上に配置されたカソード電極と、支持基板のいずれかの面上に配置され、カソード電極と電気的に接続する1つ以上の第1のダイヤモンド部と、第1のダイヤモンド材料層を有する面と同じ支持基板の面上に配置され、複数の錘状又は棒状の部分を有する第2のダイヤモンド部と、第1のダイヤモンド部及び第2のダイヤモンド部から所定の距離を隔て、且つ、第2のダイヤモンド部との間が空間であるように配置されるアノードとを備えることを特徴とする。
請求項(抜粋):
支持基板と、前記支持基板の一方の面上に配置されたカソード電極と、前記支持基板のいずれかの面上に配置され、前記カソード電極と電気的に接続する1つ以上の第1のダイヤモンド部と、前記第1のダイヤモンド材料層を有する面と同じ前記支持基板の面上に配置され、複数の錘状又は棒状の部分を有する第2のダイヤモンド部と、前記第1のダイヤモンド部及び前記第2のダイヤモンド部から所定の距離を隔て、且つ、前記第2のダイヤモンド部との間が空間であるように配置されるアノードとを備えることを特徴とする電子デバイス。
IPC (2件):
H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (4件):
H01J 1/30 A ,  H01J 1/30 C ,  H01J 9/02 B ,  H01J 9/02 C
引用特許:
審査官引用 (3件)

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