特許
J-GLOBAL ID:200903008341147375
半導体ウエハー用サセプター
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-055843
公開番号(公開出願番号):特開平6-268053
出願日: 1993年03月16日
公開日(公表日): 1994年09月22日
要約:
【要約】【目的】 半導体ウエハー用のサセプターにおいて、半導体ウエハー上で熱量の出入りがあり、温度が変動するときに、半導体ウエハーの温度を制御できるようにすることである。【構成】 サセプター1の基材2は緻密質セラミックスからなる。基材2の内部に熱電変換素子が埋設されている。好ましくは、この熱電変換素子が、P型半導体素子3とN型半導体素子4とからなる。熱電変換素子に電流を流し、吸熱又は発熱させることで、設置面2a上の半導体ウエハーの温度を調整する。
請求項(抜粋):
緻密質セラミックスからなる基材内に熱電変換素子が埋設されている、半導体ウエハー用サセプター。
IPC (5件):
H01L 21/68
, H01L 21/22
, H01L 21/324
, H05B 3/14
, H05B 3/18
引用特許:
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