ミリ波多層基板モジュール及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-088097
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】低損失な信号伝送ができ、且つ従来の金属筐体からなる導波管モジュールより小型、軽量な平面実装を実現するミリ波携帯端末モジュールを実現する。【解決手段】導体層1a、誘電体基板1b、接地基板1c、誘電体基板1d、導体層1eの積層された多層基板の導体層1e上にICチップ2を実装し、導体層1aと導体層1eを貫通する開口部に誘電体、内導体4を形成し、内導体4は導体層1a、高周波誘電体1b、接地基板1cからなる第1高周波伝送路と、導体層1e、高周波誘電体1d、接地基板1cからなる第2高周波伝送路と電気的に接続し、ICチップ2の高周波端子は第2高周波伝送路に接続し、モジュールの直流、低周波入出力信号端子は導体層1a上に形成し、多層基板内のビアホールを介して導体層1eに接続しICチップ2を接続する構成とする。【効果】小型、軽量になる。同軸構造の伝送路を用いることで、伝送路のもつ特性インピーダンスが一定に保たれ、伝送損失、反射損失が小さくできる。

請求項（抜粋）：

特定パターンの第1導体層、第1高周波誘電体基板、接地基板、第2高周波誘電体基板、特定パターンの第2導体層の順に積層された多層基板と、上記第1導体層及び上記第2導体層の少なくとも一方の上にミリ波回路素子を実装し、上記第1導体層と第2導体層を貫通する開口部に信号の周波数に対応し、上記ミリ波回路素子と接続する伝送路のビアホールが形成されたことを特徴とするミリ波多層基板モジュール。

IPC (3件)：

B81B 1/00 , H01P 5/08 , H05K 3/46

FI (3件)：

B81B 1/00 , H01P 5/08 L , H05K 3/46 N

Fターム (9件)：

5E346AA43 , 5E346BB01 , 5E346BB15 , 5E346DD22 , 5E346DD45 , 5E346GG15 , 5E346HH06 , 5E346HH07 , 5E346HH31

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