特許
J-GLOBAL ID:200903008350168210

プラズマエッチング用カーボン電極

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 雅生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-200151
公開番号(公開出願番号):特開平7-037861
出願日: 1993年07月21日
公開日(公表日): 1995年02月07日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、パーティクルの発生が少なく、肉厚で高純度なプラズマエッチング用カーボン電極を提供することを目的とする。【構成】 生コークスと炭素化可能な樹脂を原料として、X線回折の結晶面間隔(d002)の値が0.340〜0.352nmである高純度の炭素材からなることを特徴とするプラズマエッチング用カーボン電極。
請求項(抜粋):
生コークスと炭素化可能な樹脂を原料として得られる炭素材であって、X線回折の結晶面間隔(d002)の値が0.340〜0.352nmである高純度の炭素材からなることを特徴とするプラズマエッチング用カーボン電極。

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