特許

J-GLOBAL ID：200903008363369576

プラズマ処理装置

発明者： 津上 芳三 ,  イヴァン ペトロフ ガナシェフ
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338950
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142460
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 大面積に亘って強く均一なプラズマ処理が可能であり、しかも必要に応じて任意の分布のプラズマ処理もでき、装置コストも安いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 複数のマイクロ波発生器を用いて、チャンバ内にそれぞれ独立にマイクロ波を供給しプラズマを発生させることにより、プラズマ分布を簡単に調節することができる。また、チューナーを排除した簡潔な構成で実用的に十分な動作を確保することが可能となる。さらに、複数の小型マイクロ波発生器を設けることによりプラズマ分布の自由な調節が可能となり、従来よりもはるかに均一な、あるいは所定の分布を有するプラズマ処理が可能となる。さらに、複数系統のヒータを独立に加熱制御することにより、載置される被処理物に所定の温度分布を与え、被処理物のプラズマ処理の分布を補正することができる。

請求項（抜粋）：

大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空チャンバと、マイクロ波を発生する第1及び第2のマイクロ波発生器と、前記第1及び第2のマイクロ波発生器により発生させたマイクロ波を前記真空チャンバに導波する第1及び第2の導波管と、前記第1及び第2の導波管にそれぞれ設けられた第1及び第2のインピーダンス整合手段と、を備え、前記第1のマイクロ波発生器により発生させたマイクロ波を前記第1の導波管を介して前記真空チャンバ内の第1の領域に導入し、前記第2のマイクロ波発生器により発生させたマイクロ波を前記第2の導波管を介して前記真空チャンバ内の前記第1の領域とは同一でない第2の領域に導入し、前記第1及び第2の領域にそれぞれ導入された前記マイクロ波により同時に生成されたプラズマにより被処理物をプラズマ処理するに際して、前記第1及び第2の領域に導入される前記マイクロ波の強度のバランスを調節することにより前記プラズマの分布を可変としたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (5件)：

5F004AA01 ,  5F004BA05 ,  5F004BA06 ,  5F004BB14 ,  5F004BB26