特許

J-GLOBAL ID：200903008367366253

エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法

発明者： 栗林 正樹 ,  上野 和則 ,  橋本 雄一 ,  妹尾 章弘
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158762
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008065
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 三原色発光の有機エレクトロ・ルミネセンスを同一基板上に形成する時、全工程にわたって、大気に晒すことなく、真空中、減圧空間内又は乾燥窒素雰囲気中で、実施できる様になしたエレクトロ・ルミネセンスの製造法を提供することにある。【解決手段】 結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。

請求項（抜粋）：

結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/02

FI (3件)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• EL素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116999   出願人：日亜化学工業株式会社