特許
J-GLOBAL ID:200903008367366253

エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸島 儀一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-158762
公開番号(公開出願番号):特開平11-008065
出願日: 1997年06月16日
公開日(公表日): 1999年01月12日
要約:
【要約】【課題】 三原色発光の有機エレクトロ・ルミネセンスを同一基板上に形成する時、全工程にわたって、大気に晒すことなく、真空中、減圧空間内又は乾燥窒素雰囲気中で、実施できる様になしたエレクトロ・ルミネセンスの製造法を提供することにある。【解決手段】 結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。
請求項(抜粋):
結晶シリコン基板の表面を多孔質化させ、多孔質シリコン膜を形成し、該多孔質シリコン膜上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上にエレクトロ・ルミネセンス膜を形成し、該エレクトロ・ルミネセンス膜上に第2導電膜を形成し、第1導電層と、エレクトロ・ルミネセンス膜と、第2導電膜との積層体を単結晶シリコン基板から剥離し、該積層体を第1基材上に設けることを特徴とするエレクトロ・ルミネセンス素子の製造法。
IPC (3件):
H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/02
FI (3件):
H05B 33/10 ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/02
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)

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