特許

J-GLOBAL ID：200903008371697175

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者： 栗原 久明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256371
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、高リフロー性能をもつ誘電体膜を形成する際に、大気中の水分の吸収による不純物の結晶析出や高温リフロー処理後の巻き込み酸素による析出物の発生を防止して、誘電体膜の良好な平坦化を実現することができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することを課題とする。【解決手段】 外気を遮断するエンクロージャー10内に、520°Cの常圧下のTEOS-TMP-TEB-O3 系の反応によりウエーハ60上にBPSG膜84を成膜する成膜室20、900°CのN2 ガス雰囲気中でBPSG膜84の高温リフロー処理を施すリフロー処理室30、850°CのNH3 ガス雰囲気中で平坦化されたBPSG膜84表面に窒化処理を施す表面処理室40、及びN2 ガスを吹き付けて常温になるまで冷却するクーリング室50が順に隣接して設けられ、これら各室がN2 ガスカーテン11、...、15により互いに分離されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に所定の不純物が添加された誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を外気に曝すことなく、前記誘電体膜をリフローして、前記誘電体膜表面を平坦化するリフロー処理工程と、前記誘電体膜を外気に曝すことなく、平坦化された前記誘電体膜上に耐透水性膜を形成する表面処理工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 R ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/95