特許
J-GLOBAL ID：200903008374019291
強磁性トンネル接合素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置、および磁気メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-142748
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319259
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】 熱処理によるトンネル抵抗変化率の低下を抑制した強磁性トンネル接合素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置、および磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】 強磁性トンネル接合素子10は、下地層11、反強磁性層12、固定磁化層13、トンネル絶縁膜14、自由磁化積層体15、保護膜19がこの順で積層され、自由磁化積層体15は、トンネル絶縁膜14側から、第1自由磁化層16、拡散抑制層17、第2自由磁化層18がこの順で積層されてなる。第1自由磁化層16と第2自由磁化層18とが強磁性的に交換結合し、各々の磁化方向は外部から磁界が印加されていない状態で互いに平行になっている。第1自由磁化層16と第2自由磁化層18との間に設けられた拡散抑制層17により、熱処理により第1自由磁化層16の添加元素が第2自由磁化層18に拡散することを抑制する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
固定磁化層と、
前記固定磁化層上に設けられたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に設けられた自由磁化積層体とを備える強磁性トンネル接合素子であって、
前記自由磁化積層体は、前記トンネル絶縁膜側から第1の自由磁化層と、拡散抑制層と、第2の自由磁化層とがこの順で積層され、該第1の自由磁化層と第2の自由磁化層とが強磁性的に結合してなり、
前記第1の自由磁化層は、CoFeと、B、C、Al、Si、Zr、およびPからなる群のうち少なくとも1種からなる添加元素とを含み、
前記拡散抑制層は、前記第1の自由磁化層の添加元素が第2の自由磁化層に拡散することを抑制することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
