特許

J-GLOBAL ID：200903008383142241

半導体装置の製造方法

発明者： 加藤 輝男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229120
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067635
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、多結晶シリコン膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにおける、その多結晶シリコン膜の大粒径化に伴う特性のばらつきをなくす製法を提供するものである。【構成】 前述の目的のために本発明では、非晶質シリコン膜を固相結晶化する前に、その膜に優先的に結晶核が発生する領域を選択的にまず形成するようにした。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜を固相結晶化することにより多結晶半導体膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記固相結晶化を行なう前に、前記非晶質半導体膜に、優先的に結晶核が発生する領域を選択的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-119079
  
• 特開平3-200319
  
• 特開平2-140915
  
• 特開平3-218640