特許
J-GLOBAL ID:200903008385017096

三フッ化窒素ガス製造に用いる電極、電解液及び電解槽、それらを用いる三フッ化窒素ガスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-388841
公開番号(公開出願番号):特開2001-240991
出願日: 2000年12月21日
公開日(公表日): 2001年09月04日
要約:
【要約】【課題】 三フッ化窒素ガス製造に用いるニッケル電極の溶解を抑制する。【解決手段】 フッ化アンモニウム(NH4F)-フッ化水素(HF)系溶融塩からなり、組成モル比(HF/NH4F)が1〜3である電解液8を電気分解して三フッ化窒素ガスを製造するための電極(陽極3)が、Si分を0.07wt%以下としたニッケルからなり、更にニッケル以外の遷移金属を該電極中及び/又は電解液中に含有することを特徴とする。
請求項(抜粋):
フッ化アンモニウム(NH4F)-フッ化水素(HF)系溶融塩からなり、組成モル比(HF/NH4F)が1〜3である電解液を電気分解して三フッ化窒素ガスを製造するための電極であって、Si分が0.07wt%以下であるニッケルからなることを特徴とする電極。
IPC (4件):
C25B 11/04 ,  C01B 21/083 ,  C25B 1/24 ,  C25B 9/00
FI (4件):
C25B 11/04 Z ,  C01B 21/083 ,  C25B 1/24 A ,  C25B 9/00 F
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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引用文献:
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