特許

J-GLOBAL ID：200903008393769714

微細パターン形成用レジストおよび微細パターン形成方法

発明者： 勝山 亜希子 ,  橋本 和彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-065880
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342212
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 レジストパターンの寸法変動が少なく、ArFエキシマレーザ光を透過させ且つ従来よりも安価な微細パターン形成用レジストを提供する。【構成】 レジストとして、[化I]で示される高分子化合物と酸発生剤とから成る二成分系物質を用いる。但し、[化I]において、R1 〜R6 は、水素原子、アルコキシカルボニル基、アルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルシリル基、テトラヒドロピラニル基、アルコキシカルボニルメチル基又はヒドロキシプロピル基のいずれかを表す。【化I】

請求項（抜粋）：

セルロース骨格を主鎖に含み該主鎖が酸により開裂を起こす高分子化合物と、放射線が照射されると酸を発生する酸発生剤とを含むことを特徴とする微細パターン形成用レジスト。

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312