特許

J-GLOBAL ID：200903008395234966

薄膜半導体装置及びその製造方法

発明者： 石井 隆之 ,  田代 和昭 ,  山野辺 正人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293900
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110055
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 光電流が大きく、かつ、薄膜トランジスタ型光電変換素子を光電変換素子の駆動スイッチに用いた時の動作速度を早め、ブロック駆動のための信号線や配線の占める面積を縮小して光電変換装置の大きさを小さくでき、かつ容易に形成できる薄膜半導体装置を提供する。【構成】 絶縁性基板上に第3の電極15、絶縁層16、光電変換層12、オーミック層13、第1、第2の電極14、14’を順次堆積してなる薄膜半導体装置において、前記光電変換層12に光電変換特性を有する微結晶シリコンを用いることを特徴とする薄膜半導体装置であり、前記光電変換層12が、水素化アモルファスシリコンの堆積工程と該堆積表面を水素ラジカルに暴露する工程とを交互に行うことにより、前記微結晶シリコンを形成して成ることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に第3の電極、絶縁層、光電変換層、オーミック層、第1、第2の電極を順次堆積してなる薄膜半導体装置において、前記光電変換層に光電変換特性を有する微結晶シリコンを用いることを特徴とする薄膜半導体装置。