特許

J-GLOBAL ID：200903008396073940

半導体基板の処理方法

発明者： 清水 亮 ,  尾崎 文紀
出願人/特許権者： 日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233585
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050609
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】反応チャンバ内の水分濃度を制御することにより高い選択性をもたらす選択エッチング処理方法を与える。【解決手段】反応チャンバ手段と、ガス導入手段と、排気手段と、圧力制御手段とから成る半導体製造装置を使って、半導体基板上に成膜された少なくとも2種類の薄膜のうち選択された1種類の薄膜についてのみエッチング処理を行う半導体基板処理方法において、エッチング処理は、ガス導入手段によってHFまたはHF+H2Oを反応チャンバ手段内に導入すると同時に排気手段によって排気し、水分の分圧上昇を抑制するべく反応チャンバ手段内の圧力を圧力制御手段によって一定に保持する工程から成る。選択された1種類の薄膜は好適にはSiOF膜である。

請求項（抜粋）：

反応チャンバ手段と、ガス導入手段と、排気手段と、圧力制御手段とから成る半導体製造装置を使って、半導体基板上に成膜された少なくとも2種類の薄膜のうち選択された1種類の薄膜についてのみエッチング処理を行う半導体基板処理方法において、前記エッチング処理は、前記ガス導入手段によってHFまたはHF+H2Oを前記反応チャンバ手段内に導入すると同時に前記排気手段によって排気し、水分の分圧上昇を抑制するべく前記反応チャンバ手段内の圧力を前記圧力制御手段によって一定に保持する工程から成るところの方法。

Fターム (5件)：

5F004AA05 ,  5F004CA02 ,  5F004DA20 ,  5F004DB03 ,  5F004EA34