特許
J-GLOBAL ID：200903008396692151
ルチル単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 紀男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103594
公開番号（公開出願番号）：特開平5-279189
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月26日
要約：
【要約】【目的】 ルチル単結晶の育成方法において、複数枚の単結晶を同一条件により育成する。【構成】 制御される雰囲気の高温炉内で、原料融液を保持しているルツボ内にスリットを有する型(ダイ)を設け、前記スリットを介して融液を型の上面まで上昇させ、型通りの形状の単結晶をEFG方により引き上げるルチル単結晶の育成方法において、ルツボの形状に相似した全体形状の型本体10を設けると共に、前記型本体の上面にスリット4を有する個々の型11,12,13,14,15を複数設けた。
請求項（抜粋）：
制御される雰囲気の高温炉内で、原料融液を保持しているルツボ内にスリットを有する型(ダイ)を設け、前記スリットを介して融液を型の上面まで上昇させ、型通りの形状の単結晶をEFG法により引き上げるルチル単結晶の育成方法において、ルツボの形状に相似した全体形状の型本体をルツボ内に設けると共に、前記型本体の上面にスリットを有する個々の型を複数設けたことを特徴とするルチル単結晶の育成方法。
IPC (2件)：
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