特許

J-GLOBAL ID：200903008397882388

半導体装置のコンタクト特性評価方法

発明者： 泉 直希 ,  田口 昌彦 ,  秋山 益國
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-302297
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110753
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 ICのコンタクトに対応したできるだけ多くの評価用コンタクトを形成し、それぞれ個々に評価することにより、コンタクト特性を高い信頼性をもって評価することができる半導体装置のコンタクト評価方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハに評価用コンタクト素子1を形成し、その評価用コンタクト素子1に電流Iを流し、その両端の電圧を測定することにより、半導体装置のコンタクト特性を評価する場合に、評価用コンタクト素子1のそれぞれに選択用素子2、3が接続されおり、前述の電流印加および電圧測定の対象を選択し得るように形成され、この選択素子2、3により評価用コンタクト素子1のそれぞれを順次選択してその特性を検査し、その特性の分布により、半導体装置のコンタクト特性を評価する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに評価用コンタクト素子を形成し、該コンタクト素子に電流を流し、その両端の電圧を測定することにより、半導体装置のコンタクト特性を評価する方法であって、前記評価用コンタクト素子を複数個アレー状またはマトリクス状に配列すると共に、該コンタクト素子のそれぞれに選択用素子を接続して配列し、該選択用素子により前記評価用コンタクト素子のそれぞれを順次選択してその特性を検査することにより、コンタクト特性を評価する半導体装置のコンタクト特性評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/66 Y ,  G01R 31/28 U ,  H01L 21/88 S

Fターム (26件)：

2G032AA00 ,  2G032AK01 ,  2G032AK15 ,  2G032AL00 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AA08 ,  4M106AB20 ,  4M106AC02 ,  4M106AC08 ,  4M106BA14 ,  4M106CA01 ,  4M106CA10 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033UU04 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37