特許

J-GLOBAL ID：200903008398470881

III-V族窒化物系半導体発光素子の製造方法

発明者： 近藤 雅文 ,  菅原 聰 ,  山田 英司 ,  高平 宜幸 ,  小泊 広信
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284430
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094113
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 III族元素の再蒸発を抑制して、発光効率が高いIII-V族窒化物系半導体発光素子を得る。【解決手段】 III-V族窒化物系半導体発光素子を気相成長により製造する際に、量子井戸発光層4を成長後、窒化物系半導体層5を成長させる前に、少なくとも1つのIII族原料ガスまたはIII族分子線の供給量を量子井戸発光層の成長時よりも少なくして供給すると共に、V族原料ガスまたは活性化窒素を供給しながら成長中断工程または低速成長工程を行う。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系半導体からなる量子井戸発光層を有する半導体発光素子を気相成長により製造する方法において、該量子井戸発光層を成長後、他の窒化物系半導体層を成長させる前に、少なくとも1つのIII族原料ガスまたはIII族分子線の供給量を該量子井戸発光層の成長時よりも少なくして供給すると共に、V族原料ガスまたは活性化窒素を供給しながら成長中断工程または低速成長工程を行うことを特徴とするIII-V族窒化物系半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343

Fターム (35件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F045EE17 ,  5F073AA74 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23