特許

J-GLOBAL ID：200903008399679377

拡散バリアの製造方法及び集積回路

発明者： イーオン ピン ルー ,  ウェイ ユン シュー ,  キー ツォン ホン ,  リチャード エイ ファウスト
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-244740
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085436
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの相互接続層、特に銅の相互接続層のための拡散バリアを形成すること。【解決手段】 銅の相互接続は、薄い金属-シリコン-ナイトライドのキャップ(108)を伴う遷移金属-ナイトライドバリア(106)を有する。遷移金属-ナイトライドバリア(106)は構造上に形成される。その後、バリア(106)はSiを含む環境においてアニールされ、バリア(106)の表面にシリコンの豊富なキャップ層(108)を形成する。その後、銅(110)が良好な接着を有するシリコンの豊富なキャップ層(108)上に堆積される。

請求項（抜粋）：

拡散バリアの製造方法であって、遷移金属ナイトライドの膜を形成するステップと、シリコン含有環境で前記遷移金属ナイトライドの膜をアニーリングし、前記遷移金属ナイトライドの膜の表面にシリコンの豊富なキャップ層を形成するステップとを有することを特徴とする拡散バリアの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M