特許

J-GLOBAL ID：200903008403255137

静電容量式圧力センサ

発明者： 木村 重夫 ,  石倉 義之 ,  黒岩 孝朗 ,  末高 聡 ,  吹浦 健
出願人/特許権者： 山武ハネウエル株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204325
公開番号（公開出願番号）：特開平5-187947
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1993年07月27日
要約：

【要約】【目的】 圧力を電気信号に変換するコンデンサ機能と、被測定圧力以外の環境依存性を補正するコンデンサ機能とを縦型に集積化し、小型かつ低コストでしかも高感度,高精度を得られるようにした。【構成】 基板部1と、この基板部1の一方の面に形成された第1の電極3を有する第1の薄膜ダイアフラム部4と、この第1の薄膜ダイアフラム部4上に第1の空洞部5を介して形成された第2の電極6を有する第2の薄膜ダイアフラム部7と、この第2の薄膜ダイアフラム部7上に第2の空洞部9を介して形成された第3の電極10を有する第3の薄膜ダイアフラム部11とを有し、第1の電極3と第2の電極6との間に形成される第1のコンデンサと、第2の電極6と第3の電極10との間に形成される第2のコンデンサとから構成する。

請求項（抜粋）：

貫通穴および一方の面内に窪みの少なくとも一方を設けた基板部と、前記基板部の一方の面に形成された第1の電極を有する第1の薄膜ダイアフラム部と、前記第1の薄膜ダイアフラム部上に第1の空洞部を介して形成され第1の圧力導入部と第2の電極とを有する第2の薄膜ダイアフラム部と、前記第2の薄膜ダイアフラム部上に第2の空洞部を介して形成され前記第1の圧力導入部と連通する第2の圧力導入部と第3の電極とを有する第3の薄膜ダイアフラム部と、からなり、前記第1の電極と第2の電極との間に第1のコンデンサと、前記第2の電極と第3の電極との間に第2のコンデンサとを形成したことを特徴とする静電容量式圧力センサ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-027636
  
• 特開昭63-305229