特許

J-GLOBAL ID：200903008404344648

化学的機械研磨方法

発明者： 桜井 直明 ,  平林 英明
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-264089
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075938
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 研磨後のCuまたはCu合金からなる埋込み配線層表面の平坦性を損なうことなく、CuまたはCu合金からなる配線層を形成するための研磨時間の短縮を図ることが可能な化学的機械研磨方法を提供しようとものである。【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜に配線層の形状に相当する溝およびビアフィルの形状に相当する開口部から選ばれる少なくとも1つの埋込み用部材を形成し、この埋込み用部材の内面を含む前記絶縁膜上に銅または銅合金からなる配線材料膜を形成し、この配線材料膜を酸化剤と酸またはアルカリと水とを含む研磨組成物により化学的機械研磨する方法において、前記配線材料膜の研磨途中で前記研磨組成物中の酸またはアルカリの量を変化させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜に配線層の形状に相当する溝およびビアフィルの形状に相当する開口部から選ばれる少なくとも1つの埋込み用部材を形成し、この埋込み用部材の内面を含む前記絶縁膜上に銅または銅合金からなる配線材料膜を形成し、この配線材料膜を酸化剤と酸またはアルカリと水とを含む研磨組成物により化学的機械研磨する方法において、前記配線材料膜の研磨途中で前記研磨組成物中の酸またはアルカリの量を変化させることを特徴とする化学的機械研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (5件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 K ,  B24B 37/00 H

Fターム (8件)：

3C058BA02 ,  3C058BA06 ,  3C058BA09 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17