特許
J-GLOBAL ID：200903008414477018

ビーム角度と、スキャンされるビームまたはリボンビームの平面に対して直交する発散の測定のための装置及び方法

発明者：
ラスメル ロバート

ラスメル ロバート について

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ブラウン ダグラス

ブラウン ダグラス について

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レイ アンドリュー

レイ アンドリュー について


出願人/特許権者：
アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド について


代理人 (9件)： 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  舘石 光雄 ,  小野塚 薫 ,  田上 明夫 ,  ▲高▼ 昌宏 ,  中村 壽夫 ,  加藤 勉 ,  村越 祐輔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-520514
公開番号（公開出願番号）：特表2008-506239
出願日： 2005年07月07日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
本発明は、スキャンされるビームの平面に直交するイオンビームの入射角度値及び発散を得ることによって半導体素子の製造を容易にする。発散検出器は、マスク(310)とプロファイラー/センサ(314)を含み、入来イオンビーム(308)からビームレット(312)を得るために使用され、多数の垂直位置(316,318)でのビーム電流を測定する。これらのビーム電流測定値は、垂直入射角度値を与えるために使用され、かつイオンビームを特徴づけるために役立つ垂直方向の発散プロファイルを与える。これらの値は、イオンビーム発生機構によって使用され、これらの値が所望の値からすれている場合に、加工物の位置または発生したイオンビームに関する調整が実行される。
請求項（抜粋）：
イオンビームを発生し、このイオンビームを目標ウエハに向けて指向させるイオンビーム発生機構と、 前記イオンビームの下流に配置され、前記目標ウエハを支持し、イオンビームが通過する前記目標ウエハを垂直方向に移動させるモジュールと、 前記イオンビームの下流に配置され、イオンビームの垂直入射角度値と、その垂直方向プロファイルとを得る発散検出器とを含み、 前記発散検出器は、イオンビームからビームレットを選択的に得るマスクと、前記垂直入射角度値を得るために複数の垂直位置でビーム電流を測定するセンサとを含んでいることを特徴とするイオン注入システム。
IPC (3件)：
H01J 37/317 ,  H01J 37/04 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01J37/317 C ,  H01J37/04 A ,  H01L21/265 T
Fターム (5件)：
5C030AA04 ,  5C030AB05 ,  5C034CD01 ,  5C034CD04 ,  5C034CD08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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