特許

J-GLOBAL ID：200903008426012614

チップマウント方法

発明者： 林田 英徳 ,  上田 重昭 ,  佐上 洋祐
出願人/特許権者： 株式会社ワールドメタル ,  ハイソール株式会社
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-074302
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263493
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップ等の電子素子チップを、半田バンプを形成することなく、基板へワイヤーレスボンディングで直接的に接合できるようにして、高密度実装を低コストで行なえるようにし、また接合信頼性や耐蝕性を高める。【構成】 半導体チップ1等の電子素子チップを配線回路3にマウントするチップマウント方法において、電子素子チップの端子1aの基材金属層上に無電解メッキ法でニッケル系薄層11を形成し、このニッケル系薄層11と配線回路3とを異方性導電性接着剤12を用いて接合するか、又はニッケル系薄層11を形成後、さらに無電解メッキ法でパラジウム0.1〜95重量%と鉛もしくは錫を含有するパラジウム合金層13又は貴金属薄層14を形成し、このパラジウム合金層13又は貴金属薄層14と配線回路3とを異方性導電性接着剤12を用いて接合する。

請求項（抜粋）：

電子素子チップを配線回路にマウントするチップマウント方法において、予め電子素子チップの端子の基材金属層上に無電解メッキ法でニッケル系薄層を形成し、その後、電子素子チップの端子と配線回路とを異方性導電性接着剤を用いて接合することを特徴とするチップマウント方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-001127
  
• 特開平3-274739
  
• 特開昭64-081344
  
• 特開平4-030542
  
• 半導体素子の電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-015188   出願人：松下電器産業株式会社