特許

J-GLOBAL ID：200903008430144371

高耐圧半導体装置の製造方法

発明者： 井上 智樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091064
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288944
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】 浅い接合を持った装置にベベル構造の適用を可能とする。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板を用いたn型ベース層7の各主面にn型エミッタ層8、浅いp型エミッタ層6が形成された半導体ウェハ3のp型エミッタ層8に、n型ベース層7の途中の深さにまで達する段差を設けて、この段差部分にRIEを行なって斜めの溝9を形成してベベル構造を形成する。RIEによってベベル構造を形成するので、半導体ウェハ3の割れ、欠けが生じず、浅い接合の装置でもベベル構造が形成できる。

請求項（抜粋）：

高抵抗半導体層と、この高抵抗半導体層の一方の主面に形成された第1導電型半導体層と、前記高抵抗半導体層の他方の主面に形成された第2導電型半導体層とを具備した半導体ウェハを用いる高耐圧半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの主面に垂直な方向とは実質的に異なる面方位の側壁を有する溝を製造するに際し、荷電粒子を用いた異方性エッチングを用いることを特徴とする高耐圧半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/329 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/91 B ,  H01L 21/302 B ,  H01L 29/78 658 G