特許

J-GLOBAL ID：200903008432043718

薄膜形成装置

発明者： 村上 武宏 ,  小田 宗隆 ,  川口 淳一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267044
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120142
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 基板表面に均一な薄膜を形成させる薄膜形成装置を提供することを目的とする。【構成】 反応容器1内に反応ガスを供給する供給口8を複数有するプレート10を基板2に対して平行に対向設置することにより、この反応ガスを垂直方向から基板2の表面に供給する。また、プレート10に配置された供給口8の口径をプレート10の中心部から周辺にかけて順に小さくするか、あるいは、同径の供給口の配置密度をプレート10の中心部から周辺にかけて順に小さくして反応ガスの供給量を調節することで、プレート中心部と対応させて設置した基板2上の中心部から周辺に向かって略一定の濃度に保持された反応ガスの流れを作る。

請求項（抜粋）：

形成させようとする薄膜材料の構成元素を有する反応ガスを反応容器内に供給し、加熱して該反応ガスの化学反応を起こさせ、予め設置されている基板上に所望の薄膜を形成させる薄膜形成装置において、前記反応容器内に反応ガスを供給する供給口を複数有するプレートを、前記基板全面に対して平行に対向設置したことを特徴とする薄膜形成装置。