半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊田善雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-358559
公開番号（公開出願番号）：特開平5-303116
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】高速かつ低消費電力の半導体装置を提供する。【構成】半導体もしくは金属と接触するITO膜を有する半導体装置において、該ITO膜上または膜下の少なくとも一部にSiNを主成分とする絶縁膜が設けられた半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体もしくは金属と接触するITO膜を有する半導体装置において、該ITO膜上または膜下の少なくとも一部にSiNを主成分とする絶縁膜が設けられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/784 , H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (5件)

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