特許

J-GLOBAL ID：200903008446112364

半導体ウェーハ処理装置

発明者： 梶原 里美
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310421
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】レジスト塗布装置,露光装置,現像装置を組合わせてインラインシステムを構成したウェーハ処理装置を対象に、そのシステム内でオリエンテーションフラットを含むウェーハ周辺部に付着しているレジスト膜を簡単に除去できるようにした生産性の高い半導体ウェーハ処理装置を提供する【構成】レジスト塗布装置1,露光装置2,現像装置3を組合わせてインラインシステムを構成した半導体ウェーハ処理装置7に対し、露光装置のアンローダ部2aに、ウェーハ8のオリエンテーションフラット8aに付着したレジスト膜に向けて露光するエッジ露光装置6を組み込み、露光装置2から現像装置3に向けて搬送動作を開始するまでの待機時間を利用してウェーハのオリエンテーションフラットにエッジ露光を行う。

請求項（抜粋）：

レジスト塗布装置,露光装置,現像装置を組合わせてインラインシステムを構成した半導体ウェーハ処理装置において、露光装置から現像装置に通じるウェーハ搬送経路の途上に、ウェーハのオリエンテーションフラット部に付着したレジスト膜に露光するエッジ露光装置を組み込んだことを特徴とする半導体ウェーハ処理装置。