塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井上俊夫 , 水野洋美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264753
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080403
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】レジスト塗布後、液浸露光前において、あるいは液浸露光後、現像前において、半導体ウエハに付着したパーティクルの除去を簡易な構造で行う塗布・現像装置を提供すること。【解決手段】液浸露光前において、ウエハの略直径に相当する長さの洗浄液吐出口の両側に並行してスリット状の吸引口が形成されたノズル部を用いてウエハを洗浄する。また前記ノズル部の両端部において、上面部及び下面部の内側に洗浄液吐出口を有し、かつ下面部に洗浄液吐出口を囲むような吸引口と、側面部に吸引口とを備えた、ウエハの周縁部を囲むようなコ字型部を備えたノズル部を用いて液浸露光後、現像前にウエハを洗浄する。洗浄液がウエハの表面又は周縁部に吐出されつつ吸引されるのでウエハの周りに洗浄液を回収するカップが不要となる結果、塗布、現像装置全体の省スペース化が図られる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面にレジストを塗布する塗布ユニットと、その表面に液層を形成して液浸露光された後の半導体ウエハに現像液を供給して現像する現像ユニットと、を備えた塗布、現像装置において、半導体ウエハに対してレジスト塗布後、液浸露光の前に洗浄を行う洗浄ユニットを備え、前記洗浄ユニットは、

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (2件)：

H01L21/30 565 , H01L21/30 568

Fターム (3件)：

5F046DA07 , 5F046JA22 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

液処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-252415 出願人：東京エレクトロン株式会社

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