特許
J-GLOBAL ID：200903008453027259
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068960
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028899
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【構成】本発明の不揮発性半導体装置は、外部信号に応答して、書き込み及び書込みデータ判定もしくは消去及び消去判定を繰り返す前記最大回数をチップ外部から取込む。また、この繰返し回数を外部信号に応答してチップ外部に出力する。【効果】書込み回数の動作マージンをチップサンプルに応じて最適化することが出来る。また、前記第3の信号に応答して書込み回数をチップ外部に出力することが出来るので、チップ外部からチップの劣化状態を検知し、この不揮発性半導体記憶装置を用いたシステムの信頼性を高め、チップの交換タイミングをユーザが検知する事が出来る。
請求項（抜粋）：
チップ内に複数のメモリセルを有し、第1の外部信号に応答して前記メモリセルに書込むデータを前記チップ内部に取込み、書き込みが正常になされるまでもしくは所定の最大回数に達するまで書き込み及び書き込みデータ判定を繰り返して前記チップ内部でおこなう不揮発性半導体記憶装置において、第2の外部信号に応答して、書き込み及び書込みデータ判定を繰り返す前記最大回数をチップ外部から取込むことを特徴とした不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 303
, G11C 16/06
