特許

J-GLOBAL ID：200903008460830059

半導体装置におけるタングステンプラグの形成方法

発明者： 金 東吾 ,  金 在弼 ,  金 忠煥 ,  任 街淳
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-251939
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093893
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 タングステン残留物を残さず、タングステンプラグの侵食が発生しないタングステンプラグ形成方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造において、高い圧力、高いパワーおよび高いガスフロー条件でエッチングを実行する。まず、コンタクトホールが形成された後、接着膜/バリヤ膜208にTi/TiN膜質が形成され、タングステンがコンタクトホール内部を完全に満たす。次に、2段階エッチング工程が実行される。第1の主エッチングではTi/TiN膜質に対して選択的にタングステンにエッチングしてタングステンプラグを形成する。第2の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。このため、侵食のないタングステンプラグ210aを形成することができる。

請求項（抜粋）：

コンタクトホールに形成された層間絶縁膜の上に耐火性金属膜を積層する段階と、前記耐火性金属膜が積層される基板を全面エッチングする段階とを含む半導体装置の耐火性金属プラグを形成する方法において、等方性エッチング特性を最大化するため高い圧力、高いパワーおよび高いガスフローを条件としたタングステンエッチングを行う段階と、を含むことを特徴とする半導体装置におけるタングステンプラグの形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (8件)：

H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C