特許

J-GLOBAL ID：200903008462474861

半導体集積回路装置

発明者： 吉原 和弘 ,  原田 卓
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249172
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106511
出願日： 1993年10月05日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置の構造を複雑とすることなく、また、所定の導体パターンの幅等の制約を考慮することなく、半導体基板上に形成された所定の導体パターンの寄生容量を低減する。【構成】 半導体基板層上に絶縁層を介して形成された半導体層において、ECL回路の差動増幅回路部を構成するバイポーラトランジスタのコレクタに接続された負荷抵抗R1 の下方の領域に、負荷抵抗R1 を取り囲むように枠状に形成された第1絶縁分離部3aを設けるとともに、その第1絶縁分離部3a内の半導体層を格子状に形成された第2絶縁分離部3bによって複数の半導体層2c1 の領域に分離した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁層を介して形成された半導体層の上層に所定の導体パターンを有する半導体集積回路装置であって、前記所定の導体パターンの寄生容量に対して、その寄生容量よりも小さい他の容量を直列に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 21/90 V ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 321 C