特許
J-GLOBAL ID：200903008465163786
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034766
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235265
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】CVD窒化シリコン膜を最下層に有する二層以上の絶縁膜からなる複合絶縁膜を形成する際、下地の基板との間に存在する自然酸化膜を極力薄くした状態で形成でき、複合絶縁膜をキャパシタ絶縁膜として形成する場合には、薄膜化を実現し、電荷蓄積量を十分に確保し、電気的耐圧の劣化、絶縁膜の信頼性の低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体ウェハー11の単結晶シリコン基板あるいは不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜12上に、CVD窒化シリコン膜15を最下層に有する二層以上の絶縁膜からなる複合絶縁膜17を形成する際、ウェハー洗浄処理後、ウェハー上の自然酸化膜を熱窒化により窒化物に変化させ、ウェハー上にCVD窒化シリコン膜を形成し、その表面を酸化して酸化シリコン膜16を成長させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハーの単結晶シリコン基板あるいは不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜上に、CVD窒化シリコン膜を最下層に有する二層以上の絶縁膜からなる複合絶縁膜を形成する際、上記ウェハーを洗浄する工程と、この工程により洗浄されたウェハー上の自然酸化膜を熱窒化して窒化物に変化させる工程と、上記窒化物上にCVD窒化シリコン膜を形成する工程と、上記CVD窒化シリコン膜の表面を酸化して酸化シリコン膜を成長させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/316
, H01L 21/318
