半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053577
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255469
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】占有面積がより小さくとも、従来と同様の内部電圧を発生させることのできる電源回路を備えた半導体集積回路を提供する。【解決手段】外部電源電圧より高い内部電源電圧を生成し出力するチャージポンプ23と、チャージポンプ23から出力された内部電源電圧の大きさを検知するレベルディテクタ17,19と、レベルディテクタ17,19にそれぞれ対応して接続され発振周波数を異にする2つのリングオシレータを含み、チャージポンプ23から出力される内部電源電圧の大きさに応じて一方のリングオシレータで生成された信号を選択的にチャージポンプ23へ出力する複合リングオシレータ21とを備える。

請求項（抜粋）：

外部電圧に基づいて周期信号に応答して内部電圧を生成する内部電圧生成手段と、前記内部電圧生成手段から出力された前記内部電圧の大きさが所定の検知レベルに到達すると検知信号を出力する、前記所定の検知レベルの異なる複数の検知手段と、各々が前記複数の検知手段の1つに対応して設けられ、異なる周波数を有する前記周期信号を出力する複数の周期信号供給手段と、前記複数の検知手段から出力された前記検知信号に応答して、前記複数の周期信号供給手段から出力される複数の前記周期信号のうちの1つを選択的に前記内部電圧生成手段へ供給する選択手段とを備える半導体集積回路。

IPC (4件)：

G11C 11/407 , G11C 11/413 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 335 A , H01L 27/04 B

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